Datasheets Center

中电网首页

产品索引 > 分立半导体产品 > FET - 阵列 > VQ2001P-2

综述介绍

VQ2001P-2

VQ2001P-2

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是威世硅尼克斯的VQ2001P-2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：4 个 P 通道；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：600mA；

厂商：威世硅尼克斯
类别：分立半导体产品/FET - 阵列/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：4 个 P 通道
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：600mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2 欧姆 @ 1A，12V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：-
不同Vds时的输入电容（Ciss）：150pF @ 15V
功率-最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：14-DIP
供应商器件封装：14-DIP

PDF 下载

中电网中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 | 中电网官方微博

Copyright © 2000-2026 中电网版权所有京ICP备19016262号-2 增值电信业务经营许可证粤B2-20050142 京公网安备 11010802037127号