NE3515S02-T1C-A
发布时间:2015-08-19
简介:
本文是加州东部实验的NE3515S02-T1C-A的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:HFET;频率:12GHz;增益:12.5dB;电压-测试:2V;
- 厂商:加州东部实验
- 类别:
分立半导体产品/RF FET/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:HFET
- 电压-集射极击穿(最大值):-
- 频率:12GHz
- 增益:12.5dB
- 频率-跃迁:-
- 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
- 电压-测试:2V
- 额定电流:88mA
- 功率-最大值:-
- 噪声系数:0.3dB
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
- 电流-测试:10mA
- 功率-输出:14dBm
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 安装类型:-
- 电压-额定:4V
- 封装/外壳:4-SMD,扁平引线
- 供应商器件封装:S02