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NE3515S02-T1C-A

NE3515S02-T1C-A

发布时间:2015-08-19
简介:

本文是加州东部实验的NE3515S02-T1C-A的数据表,它是属于分立半导体产品 RF FET。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;晶体管类型:HFET;频率:12GHz;增益:12.5dB;电压-测试:2V;


  • 厂商:加州东部实验
  • 类别: 分立半导体产品/RF FET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
  • 系列:-
  • 晶体管类型:HFET
  • 电压-集射极击穿(最大值):-
  • 频率:12GHz
  • 增益:12.5dB
  • 频率-跃迁:-
  • 噪声系数(dB,不同f时的典型值):-
  • 电压-测试:2V
  • 额定电流:88mA
  • 功率-最大值:-
  • 噪声系数:0.3dB
  • 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):-
  • 电流-测试:10mA
  • 功率-输出:14dBm
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):-
  • 安装类型:-
  • 电压-额定:4V
  • 封装/外壳:4-SMD,扁平引线
  • 供应商器件封装:S02
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