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厂商 包装系列FET类型电压-击穿(V(BR)GSS)漏源极电压(Vdss)不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)漏极电流(Id)-最大值不同Id时的电压-截止(VGS关)不同Vds时的输入电容(Ciss)电阻-RDS(开)安装类型封装/外壳供应商器件封装功率-最大值
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PDF 缩略图 器件名称 制造商 描述
2N5114JTVL02 2N5114JTVL02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-206AA
2N5114JTXV02 2N5114JTXV02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-206AA
2N5545JTXV01 2N5545JTXV01 Vishay Siliconix JFET N-CH 50V TO-71
2N5546JTX01 2N5546JTX01 Vishay Siliconix JFET N-CH 50V TO-71
2N5546JTXL01 2N5546JTXL01 Vishay Siliconix JFET N-CH 50V TO-71
2N5546JTXV01 2N5546JTXV01 Vishay Siliconix JFET N-CH 50V TO-71
2N5115JTXV02 2N5115JTXV02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-18
2N5116JTXV02 2N5116JTXV02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-18
2N5115JTVL02 2N5115JTVL02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-18
2N5116JTVL02 2N5116JTVL02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-18
2N5116JAN02 2N5116JAN02 Vishay Siliconix JFET P-CH 30V TO-18
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