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NGTG30N60FWG

本文是安森美半导体公司的NGTG30N60FWG的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：

厂商：ON Semiconductor

类别：电机控制 >马达智能化控制技术 >Power Factor Correction >

主要规格参数:

包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
脉冲电流-集电极(Icm)：120A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.7V @ 15V，30A
功率-最大值：167W
开关能量：650µJ（开），650µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：170nC
25°C时Td（开/关）值：81ns/190ns
测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-247

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