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2N4858A

本文是中央半导体公司的2N4858A的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：散装；FET类型：N 沟道；电压-击穿（V（BR）GSS）：40V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：8mA @ 15V；不同Id时的电压-截止（VGS关）：800mV @ 0.5nA；

厂商：Central Semiconductor Corp

类别：分立半导体产品 >JFET（结点场效应 >

主要规格参数:

包装：散装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：40V
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：8mA @ 15V
漏极电流（Id）-最大值：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：800mV @ 0.5nA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10pF @ 10V（VGS）
电阻-RDS（开）：60 欧姆
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-206AA，TO-18-3 金属罐
供应商器件封装：TO-18
功率-最大值：360mW

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