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全部应用 > 分立半导体产品 >二极管/齐纳阵列 > CMSZDA8V2 TR

CMSZDA8V2 TR

本文是中央半导体公司的CMSZDA8V2 TR的数据表，它是属于分立半导体产品二极管/齐纳阵列。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；配置：1 对共阳极；电压-齐纳（标称值）（Vz）：8.2V；容差：±5%；功率-最大值：275mW；

厂商：Central Semiconductor Corp

类别：分立半导体产品 >二极管/齐纳阵列 >

主要规格参数:

包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
配置：1 对共阳极
电压-齐纳（标称值）（Vz）：8.2V
容差：±5%
功率-最大值：275mW
阻抗（最大值）（Zzt）：15 欧姆
不同Vr时的电流-反向漏电流：700nA @ 5V
不同If时的电压-正向（Vf）：900mV @ 10mA
工作温度：-65°C ~ 150°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323

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