NVE4153NT1G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的NVE4153NT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：915mA（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/信息娱乐和仪表盘/导航系统/Sensor Interface / Signal Conditioning/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：915mA（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：230 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：1.82nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：110pF @ 16V
功率-最大值：300mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-89，SOT-490
供应商器件封装：SC-89

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