2SK3738-TL-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的2SK3738-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；FET类型：N 沟道；电压-击穿（V（BR）GSS）：40V；漏源极电压（Vdss）：40V；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：50µA @ 10V；

厂商：安森美半导体公司
类别：智能制造/机器人/检测装置/Analog Sensors/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
FET类型：N 沟道
电压-击穿（V（BR）GSS）：40V
漏源极电压（Vdss）：40V
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：50µA @ 10V
漏极电流（Id）-最大值：1mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：2.3V @ 1µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1.7pF @ 10V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-75，SOT-416
供应商器件封装：SMCP
功率-最大值：100mW

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