NSS60601MZ4T1G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NSS60601MZ4T1G的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;晶体管类型:NPN;电流-集电极(Ic)(最大值):6A;电压-集射极击穿(最大值):60V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):300mV @ 600mA,6A;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
智能制造/机器人/检测装置/H-bridge drive/
- 主要规格参数:
-
- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN
- 电流-集电极(Ic)(最大值):6A
- 电压-集射极击穿(最大值):60V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):300mV @ 600mA,6A
- 电流-集电极截止(最大值):-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1A,2V
- 功率-最大值:800mW
- 频率-跃迁:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:SOT-223