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综述介绍

PESD12VU1UT,215

PESD12VU1UT,215

发布时间：2015-08-26

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PESD12VU1UT,215的数据表，它是属于电路保护 TVS - 二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；类型：齐纳；单向通道：1；电压-反向关态（典型值）：12V（最小值）；电压-击穿（最小值）：14.2V；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：测试测量/电子测试和测量/数据采集/Circuit Protection/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
类型：齐纳
单向通道：1
双向通道：-
电压-反向关态（典型值）：12V（最小值）
电压-击穿（最小值）：14.2V
电压-箝位（最大值）@Ipp：39V
电流-峰值脉冲（10/1000µs）：5A（8/20µs）
功率-峰值脉冲：200W
电源线路保护：无
应用：通用
不同频率时的电容：0.6pF @ 1MHz
工作温度：-65°C ~ 150°C（TA）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

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