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PESD3V3L4UF,115

PESD3V3L4UF,115

发布时间：2015-08-27
简介：

本文是恩智浦半导体公司的PESD3V3L4UF,115的数据表，它是属于电路保护 TVS - 二极管。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；类型：齐纳；单向通道：4；电压-反向关态（典型值）：3.3V（最小值）；电压-击穿（最小值）：5.32V；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 测试测量/电子测试和测量/数据采集/Circuit Protection/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：4
  • 双向通道：-
  • 电压-反向关态（典型值）：3.3V（最小值）
  • 电压-击穿（最小值）：5.32V
  • 电压-箝位（最大值）@Ipp：12V
  • 电流-峰值脉冲（10/1000µs）：3A（8/20µs）
  • 功率-峰值脉冲：30W
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时的电容：22pF @ 1MHz
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C（TA）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-XFDFN
  • 供应商器件封装：6-XSON，SOT886（1.45x1）
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