DMG1012UW-7

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是Diodes公司的DMG1012UW-7的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1A（Ta）；

厂商：Diodes公司
类别：测试测量/电子测试和测量/数字万用表/MOSFET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：450 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：0.74nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：60.67pF @ 16V
功率-最大值：290mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-70，SOT-323
供应商器件封装：SOT-323

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