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综述介绍

NTZD3154NT1G

NTZD3154NT1G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NTZD3154NT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：20V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：540mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：测试测量/电子测试和测量/数字万用表/MOSFET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：540mA
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：550 毫欧 @ 540mA，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：2.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：150pF @ 16V
功率-最大值：250mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：SOT-563

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