ATP202-TL-H

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的ATP202-TL-H的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：Digi-Reel® 可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50A（Ta）；

厂商：安森美半导体公司
类别：测试测量/智能仪表/battery charger/
主要规格参数:
包装：Digi-Reel® 可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：50A（Ta）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：12 毫欧 @ 25A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1650pF @ 10V
功率-最大值：40W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：ATPAK（2 引线 + 接片）
供应商器件封装：ATPAK

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