NSS30201MR6T1G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的NSS30201MR6T1G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：2A；电压-集射极击穿（最大值）：30V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：75mV @ 1mA，100mA；

厂商：安森美半导体公司
类别：测试测量/智能仪表/battery charger/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：2A
电压-集射极击穿（最大值）：30V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：75mV @ 1mA，100mA
电流-集电极截止（最大值）：100nA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：300 @ 500mA，5V
功率-最大值：535mW
频率-跃迁：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74，SOT-457
供应商器件封装：6-TSOP

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