MCH5908G-TL-E

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是安森美半导体公司的MCH5908G-TL-E的数据表，它是属于分立半导体产品 JFET（结点场效应。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；FET类型：2 个 N 沟道（双）；不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：10mA @ 5V；漏极电流（Id）-最大值：50mA；不同Id时的电压-截止（VGS关）：300mV @ 100µA；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/信息娱乐和仪表盘/远程信息处理 - 远程信息处理控制单元/Low-noise amplifier/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
电压-击穿（V（BR）GSS）：-
漏源极电压（Vdss）：-
不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）：10mA @ 5V
漏极电流（Id）-最大值：50mA
不同Id时的电压-截止（VGS关）：300mV @ 100µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）：10.5pF @ 5V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：5-SMD，扁平引线
供应商器件封装：5-MCPH
功率-最大值：300mW

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