BULB49DT4

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是意法半导体公司的BULB49DT4的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）；晶体管类型：NPN；电流-集电极（Ic）（最大值）：5A；电压-集射极击穿（最大值）：450V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.2V @ 800mA，4A；

厂商：意法半导体公司
类别：照明/普通照明/通用照明/s_Transistors/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）
系列：-
晶体管类型：NPN
电流-集电极（Ic）（最大值）：5A
电压-集射极击穿（最大值）：450V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：1.2V @ 800mA，4A
电流-集电极截止（最大值）：100µA
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：4 @ 7A，10V
功率-最大值：80W
频率-跃迁：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装：D2PAK

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