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RJK5026DPP-M0#T2

RJK5026DPP-M0#T2

发布时间:2015-08-22
简介:

本文是瑞萨电子美国公司的RJK5026DPP-M0#T2的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):500V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Ta);


  • 厂商:瑞萨电子美国公司
  • 类别: 照明/普通照明/通用照明/MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:-
  • FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET功能:标准
  • 漏源极电压(Vdss):500V
  • 电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A(Ta)
  • 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):1.7 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容(Ciss):440pF @ 25V
  • 功率-最大值:28.5W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220FL
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