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综述介绍

RJK60S5DPQ-E0#T2

RJK60S5DPQ-E0#T2

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是瑞萨电子美国公司的RJK60S5DPQ-E0#T2的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：超级结；漏源极电压（Vdss）：600V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Tc）；

厂商：瑞萨电子美国公司
类别：照明/普通照明/通用照明/MOSFET/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：超级结
漏源极电压（Vdss）：600V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：20A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：178 毫欧 @ 10A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：27nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1600pF @ 25V
功率-最大值：192.3W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247

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