STD12N65M2
发布时间:2015-08-21
简介:
本文是意法半导体公司的STD12N65M2的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下:包装:Digi-Reel® 可替代的包装;系列:MDmesh™ M2;FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物;FET功能:标准;漏源极电压(Vdss):650V;
- 厂商:意法半导体公司
- 类别:
照明/普通照明/背光/Isolated main converter/
- 主要规格参数:
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- 包装:Digi-Reel® 可替代的包装
- 系列:MDmesh™ M2
- FET类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET功能:标准
- 漏源极电压(Vdss):650V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):8A(Tc)
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):500 毫欧 @ 4A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):16.5nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):535pF @ 100V
- 功率-最大值:85W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:DPAK