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综述介绍

STGWT20H60DF

STGWT20H60DF

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGWT20H60DF的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：40A；脉冲电流-集电极(Icm)：80A；

厂商：意法半导体公司
类别：照明/智能照明/智能LED矿灯/s_Mosfets/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道和场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：40A
脉冲电流-集电极(Icm)：80A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，20A
功率-最大值：167W
开关能量：209µJ（开），261µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：115nC
25°C时Td（开/关）值：42.5ns/177ns
测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：90ns
封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-3P

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