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综述介绍

STGD10HF60KD

STGD10HF60KD

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是意法半导体公司的STGD10HF60KD的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：剪切带（CT）可替代的包装；系列：自动，AEC-Q101；电压-集射极击穿（最大值）：600V；电流-集电极（Ic）（最大值）：18A；脉冲电流-集电极(Icm)：30A；

厂商：意法半导体公司
类别：照明/智能照明/智能LED矿灯/s_Mosfets/
主要规格参数:
包装：剪切带（CT）可替代的包装
系列：自动，AEC-Q101
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极（Ic）（最大值）：18A
脉冲电流-集电极(Icm)：30A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.75V @ 15V，5A
功率-最大值：62.5W
开关能量：45µJ（开），105µJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：23nC
25°C时Td（开/关）值：9.5ns/87ns
测试条件：400V，5A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：50ns
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
安装类型：表面贴装
供应商器件封装：DPAK

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