NVD5865NLT4G

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是安森美半导体公司的NVD5865NLT4G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：60V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Ta），46A（Tc）；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/车身电子/照明与显示/Turn lights drive/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：60V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：10A（Ta），46A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：16 毫欧 @ 19A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：29nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1400pF @ 25V
功率-最大值：3.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：D-Pak

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