NVMFS4C03NT1G

发布时间：2015-08-22

简介：

本文是安森美半导体公司的NVMFS4C03NT1G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：*可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：30V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：31.4A（Ta），143A（Tc）；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/车身电子/照明与显示/Low-Side Driver/
主要规格参数:
包装：*可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：31.4A（Ta），143A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：45.2nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3071pF @ 15V
功率-最大值：3.71W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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