NVLJD4007NZTAG
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NVLJD4007NZTAG的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR);FET类型:2 个 N 沟道(双);FET功能:逻辑电平门;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):245mA;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
汽车电子/车身电子/车载网络/I / O protection/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR)
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 沟道(双)
- FET功能:逻辑电平门
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):245mA
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):7 欧姆 @ 125mA,4.5V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):0.75nC @ 4.5V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):20pF @ 5V
- 功率-最大值:755mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:6-WDFN(2x2)