NSS60200LT1G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NSS60200LT1G的数据表,它是属于分立半导体产品 晶体管(BJT) - 单路。 具体规格参数如下:包装:剪切带(CT) 可替代的包装;晶体管类型:PNP;电流-集电极(Ic)(最大值):2A;电压-集射极击穿(最大值):60V;不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):220mV @ 200mA,2A;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
医疗电子/诊断与治疗/生命体征监测仪/battery charger/
- 主要规格参数:
-
- 包装:剪切带(CT) 可替代的包装
- 系列:-
- 晶体管类型:PNP
- 电流-集电极(Ic)(最大值):2A
- 电压-集射极击穿(最大值):60V
- 不同Ib,Ic时的Vce饱和值(最大值):220mV @ 200mA,2A
- 电流-集电极截止(最大值):-
- 不同Ic,Vce时的DC电流增益(hFE)(最小值):150 @ 500mA,2V
- 功率-最大值:460mW
- 频率-跃迁:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)