R1LV0108ESN-5SI#B0
发布时间:2015-08-18
简介:
本文是瑞萨电子美国公司的R1LV0108ESN-5SI#B0的数据表,它是属于集成电路(IC) 存储器。 具体规格参数如下:包装:管件 可替代的包装;格式-存储器:RAM;存储器类型:SRAM;存储容量:1M(128K x 8);速度:55ns;
- 厂商:瑞萨电子美国公司
- 类别:
医疗电子/健康与保健/活动与健康监测仪/MCU/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件 可替代的包装
- 系列:-
- 格式-存储器:RAM
- 存储器类型:SRAM
- 存储容量:1M(128K x 8)
- 速度:55ns
- 接口:并联
- 电压-电源:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳:32-SOIC(0.450,11.40mm 宽)
- 供应商器件封装:32-SOP