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综述介绍

NVDD5894NLT4G

NVDD5894NLT4G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的NVDD5894NLT4G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：*；FET类型：2 N 沟道（双）共漏；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：40V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：14A；

厂商：安森美半导体公司
类别：汽车电子/车身电子/车载空调/High-end drive/
主要规格参数:
包装：*
系列：-
FET类型：2 N 沟道（双）共漏
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：14A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：10 毫欧 @ 50A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：41nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：2103pF @ 25V
功率-最大值：3.8W
安装类型：*
封装/外壳：*
供应商器件封装：*

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