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NB3N511DR2G

NB3N511DR2G

发布时间：2015-08-15
简介：

本文是安森美半导体公司的NB3N511DR2G的数据表，它是属于集成电路（IC） 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器。 具体规格参数如下：包装：剪切带（CT） 可替代的包装；类型：时钟乘法器；PLL：是；输入：时钟，晶体；输出：CMOS，TTL；


  • 厂商：安森美半导体公司
  • 类别： 医疗电子/成像设备/超声波/Clock Generation/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：剪切带（CT） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 类型：时钟乘法器
  • PLL：是
  • 输入：时钟，晶体
  • 输出：CMOS，TTL
  • 电路数：1
  • 比率-输入:输出：1：1
  • 差分-输入:输出：无/无
  • 频率-最大值：200MHz
  • 分频器/倍频器：无/是
  • 电压-电源：3.135 V ~ 5.25 V
  • 工作温度：-40°C ~ 85°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装：8-SOIC
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