MJE15035G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是安森美半导体公司的MJE15035G的数据表，它是属于分立半导体产品晶体管（BJT） - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；晶体管类型：PNP；电流-集电极（Ic）（最大值）：4A；电压-集射极击穿（最大值）：350V；不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：500mV @ 100mA，1A；

厂商：安森美半导体公司
类别：医疗电子/成像设备/超声波/Audio Amplifiers/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
晶体管类型：PNP
电流-集电极（Ic）（最大值）：4A
电压-集射极击穿（最大值）：350V
不同Ib，Ic时的Vce饱和值（最大值）：500mV @ 100mA，1A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同Ic，Vce时的DC电流增益（hFE）（最小值）：10 @ 2A，5V
功率-最大值：2W
频率-跃迁：30MHz
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

PDF 下载