中电网
中电网首页

产品索引  > 汽车电子 > 车身电子 > 车门及座椅控制 > MOSFET  >  IPP039N04L G

IPP039N04L G

IPP039N04L G

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是英飞凌科技公司的IPP039N04L G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；系列：OptiMOS™；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：逻辑电平门；漏源极电压（Vdss）：40V；


  • 厂商：英飞凌科技公司
  • 类别： 汽车电子/车身电子/车门及座椅控制/MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：OptiMOS™
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压（Vdss）：40V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：80A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.9 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：2V @ 45µA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：78nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：6100pF @ 25V
  • 功率-最大值：94W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：PG-TO220-3-1
PDF 下 载
下载

中电网 中国电子行业研发工程师一站式服务平台

关于中电网| 广告招商| 联系我们| 招聘信息| 友情链接| 中电网导航| 手机中电网 |   中电网官方微博

Copyright © 2000-2024 中电网 版权所有      京ICP备19016262号-2      增值电信业务经营许可证粤B2-20050142      京公网安备 11010802037127号

Tel: 010-62985649, 0755-33322333     Fax: 0755-33322099