PSMN013-100BS,118

发布时间：2015-08-21

简介：

本文是恩智浦半导体公司的PSMN013-100BS,118的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：68A（Tc）；

厂商：恩智浦半导体公司
类别：汽车电子/车身电子/车门及座椅控制/MOSFET/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压（Vdss）：100V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：68A（Tc）
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：13.9 毫欧 @ 15A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：59nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：3195pF @ 50V
功率-最大值：170W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商器件封装：D2PAK

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