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PSMN9R5-100XS,127

PSMN9R5-100XS,127

发布时间：2015-08-21
简介：

本文是恩智浦半导体公司的PSMN9R5-100XS,127的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 单。 具体规格参数如下：包装：管件；FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET功能：标准；漏源极电压（Vdss）：100V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：44.2A（Tc）；


  • 厂商：恩智浦半导体公司
  • 类别： 汽车电子/车身电子/车门及座椅控制/MOSFET/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • FET类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET功能：标准
  • 漏源极电压（Vdss）：100V
  • 电流-连续漏极（Id）（25°C时）：44.2A（Tc）
  • 不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：9.6 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA
  • 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：81.5nC @ 10V
  • 不同Vds时的输入电容（Ciss）：4454pF @ 50V
  • 功率-最大值：52.6W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 供应商器件封装：TO-220F
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