RJM0306JSP-01#J0
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是瑞萨电子美国公司的RJM0306JSP-01#J0的数据表,它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。 具体规格参数如下:包装:管件;FET类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥);FET功能:逻辑电平栅极,4V 驱动;漏源极电压(Vdss):30V;电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.5A;
- 厂商:瑞萨电子美国公司
- 类别:
汽车电子/车身电子/车门及座椅控制/Electric door/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- FET类型:2 个 N 通道和 2 个 P 通道(H 桥)
- FET功能:逻辑电平栅极,4V 驱动
- 漏源极电压(Vdss):30V
- 电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.5A
- 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):65 毫欧 @ 2A,10V
- 不同Id时的Vgs(th)(最大值):-
- 不同Vgs时的栅极电荷(Qg):5nC @ 10V
- 不同Vds时的输入电容(Ciss):290pF @ 10V
- 功率-最大值:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOP