HSMS-8202-TR1G

发布时间：2015-08-19

简介：

本文是美国安华高科技有限公司的HSMS-8202-TR1G的数据表，它是属于分立半导体产品 RF 二极管。具体规格参数如下：包装：带卷（TR）可替代的包装；二极管类型：肖特基 - 1 对串联；电压-峰值反向（最大值）：4V；不同Vr，F时的电容：0.26pF @ 0V，1MHz；不同If，F时的电阻：14 欧姆 @ 5mA，1MHz；

厂商：美国安华高科技有限公司
类别：医疗电子/成像设备/MRI：磁共振成像/Mixer/
主要规格参数:
包装：带卷（TR）可替代的包装
系列：-
二极管类型：肖特基 - 1 对串联
电压-峰值反向（最大值）：4V
电流-最大值：-
不同Vr，F时的电容：0.26pF @ 0V，1MHz
不同If，F时的电阻：14 欧姆 @ 5mA，1MHz
功率耗散（最大值）：75mW
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：SOT-23-3

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