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SIC779CD-T1-GE3

SIC779CD-T1-GE3

发布时间：2015-08-16
简介：

本文是威世硅尼克斯的SIC779CD-T1-GE3的数据表，它是属于集成电路（IC） PMIC - 全，半桥驱动器。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；输出配置：半桥；应用：同步降压转换器；接口：PWM；负载类型：电感；


  • 厂商：威世硅尼克斯
  • 类别： 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Driver/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • 输出配置：半桥
  • 应用：同步降压转换器
  • 接口：PWM
  • 负载类型：电感
  • 技术：DrMOS
  • 导通电阻（典型值）：-
  • 电流-输出/通道：40A
  • 电流-峰值输出：-
  • 电压-电源：4.5 V ~ 5.5 V
  • 电压-负载：3 V ~ 16 V
  • 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 特性：自举电路，二极管仿真，状态标志
  • 故障保护：超温，击穿，UVLO
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：PowerPAK® MLP66-40
  • 供应商器件封装：PowerPAK® MLP66-40
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