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RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是罗姆半导体集团的RGT30NS65DGTL的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：带卷（TR） 可替代的包装；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：45A；


  • 厂商：罗姆半导体集团
  • 类别： 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：带卷（TR） 可替代的包装
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道和场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：45A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2.1V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：133W
  • 开关能量：-
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：32nC
  • 25°C时Td（开/关）值：18ns/64ns
  • 测试条件：400V，15A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：55ns
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：LPDS（TO-263S）
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