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IXBH9N160G

IXBH9N160G

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是IXYS的IXBH9N160G的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:BIMOSFET™;电压-集射极击穿(最大值):1600V;电流-集电极(Ic)(最大值):9A;脉冲电流-集电极(Icm):10A;


  • 厂商:IXYS
  • 类别: 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:管件
  • 系列:BIMOSFET™
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):9A
  • 脉冲电流-集电极(Icm):10A
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):7V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:100W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:34nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-
  • 测试条件:960V,5A,27 欧姆,10V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247AD(IXBH)
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