IXXH110N65C4
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是IXYS的IXXH110N65C4的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:GenX4™,XPT™;IGBT类型:PT;电压-集射极击穿(最大值):650V;电流-集电极(Ic)(最大值):234A;
- 厂商:IXYS
- 类别:
电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
- 主要规格参数:
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- 包装:管件
- 系列:GenX4™,XPT™
- IGBT类型:PT
- 电压-集射极击穿(最大值):650V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):234A
- 脉冲电流-集电极(Icm):600A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.35V @ 15V,110A
- 功率-最大值:880W
- 开关能量:2.3mJ(开),600µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:180nC
- 25°C时Td(开/关)值:35ns/143ns
- 测试条件:400V,55A,2 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247(IXXH)