IXBP5N160G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是IXYS的IXBP5N160G的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;系列:BIMOSFET™;电压-集射极击穿(最大值):1600V;电流-集电极(Ic)(最大值):5.7A;不同Vge,Ic时的Vce(on):7.2V @ 15V,3A;
- 厂商:IXYS
- 类别:
电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:BIMOSFET™
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):1600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):5.7A
- 脉冲电流-集电极(Icm):-
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):7.2V @ 15V,3A
- 功率-最大值:68W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:26nC
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:960V,3A,47 欧姆,10V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-220-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247AD