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IXDN75N120

IXDN75N120

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是IXYS的IXDN75N120的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:IGBT类型:NPT;配置:单一;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):150A;功率-最大值:660W;


  • 厂商:IXYS
  • 类别: 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列:-
  • IGBT类型:NPT
  • 配置:单一
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):150A
  • 功率-最大值:660W
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.7V @ 15V,75A
  • 电流-集电极截止(最大值):4mA
  • 不同Vce时的输入电容(Cies):5.5nF @ 25V
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC
  • 供应商器件封装:SOT-227B
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