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IXBN75N170A

IXBN75N170A

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是IXYS的IXBN75N170A的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下：系列：BIMOSFET™；配置：单一；电压-集射极击穿（最大值）：1700V；电流-集电极（Ic）（最大值）：75A；功率-最大值：625W；


  • 厂商：IXYS
  • 类别： 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 系列：BIMOSFET™
  • IGBT类型：-
  • 配置：单一
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1700V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：75A
  • 功率-最大值：625W
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：6V @ 15V，42A
  • 电流-集电极截止（最大值）：50µA
  • 不同Vce时的输入电容（Cies）：7.4nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 安装类型：底座安装
  • 封装/外壳：SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商器件封装：SOT-227B
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