APT45GP120J
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是美高森美电源产品集团有限公司的APT45GP120J的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 模块。 具体规格参数如下:系列:POWER MOS 7®;IGBT类型:PT;配置:单一;电压-集射极击穿(最大值):1200V;电流-集电极(Ic)(最大值):75A;
- 厂商:美高森美电源产品集团有限公司
- 类别:
电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
- 主要规格参数:
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- 系列:POWER MOS 7®
- IGBT类型:PT
- 配置:单一
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):75A
- 功率-最大值:329W
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):3.9V @ 15V,45A
- 电流-集电极截止(最大值):500µA
- 不同Vce时的输入电容(Cies):3.94nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:ISOTOP
- 供应商器件封装:ISOTOP®