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综述介绍

IHW30N110R3

IHW30N110R3

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是英飞凌科技公司的IHW30N110R3的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道；电压-集射极击穿（最大值）：1100V；电流-集电极（Ic）（最大值）：60A；脉冲电流-集电极(Icm)：90A；

厂商：英飞凌科技公司
类别：电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
主要规格参数:
包装：管件
系列：-
IGBT类型：沟道
电压-集射极击穿（最大值）：1100V
电流-集电极（Ic）（最大值）：60A
脉冲电流-集电极(Icm)：90A
不同Vge，Ic时的Vce（on）：1.75V @ 15V，30A
功率-最大值：333W
开关能量：1.15mJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：180nC
25°C时Td（开/关）值：-/350ns
测试条件：600V，30A，15 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）：-
封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3

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