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FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

发布时间:2015-08-20
简介:

本文是飞兆半导体公司的FGD3N60UNDF的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;IGBT类型:NPT;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):6A;脉冲电流-集电极(Icm):9A;


  • 厂商:飞兆半导体公司
  • 类别: 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装:带卷(TR) 可替代的包装
  • 系列:-
  • IGBT类型:NPT
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):6A
  • 脉冲电流-集电极(Icm):9A
  • 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.52V @ 15V,3A
  • 功率-最大值:60W
  • 开关能量:52µJ(开),30µJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:1.6nC
  • 25°C时Td(开/关)值:5.5ns/22ns
  • 测试条件:400V,3A,10 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):21ns
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 安装类型:表面贴装
  • 供应商器件封装:TO-252
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