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STGWT30H65FB

STGWT30H65FB

发布时间：2015-08-20
简介：

本文是意法半导体公司的STGWT30H65FB的数据表，它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下：包装：管件；IGBT类型：沟道和场截止；电压-集射极击穿（最大值）：650V；电流-集电极（Ic）（最大值）：30A；脉冲电流-集电极(Icm)：120A；


  • 厂商：意法半导体公司
  • 类别： 电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
  • 主要规格参数:
  •  
  • 包装：管件
  • 系列：-
  • IGBT类型：沟道和场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流-集电极（Ic）（最大值）：30A
  • 脉冲电流-集电极(Icm)：120A
  • 不同Vge，Ic时的Vce（on）：2V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：260W
  • 开关能量：151µJ（开），293µJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：149nC
  • 25°C时Td（开/关）值：37ns/146ns
  • 测试条件：400V，30A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间（trr）：-
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-3P
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