NGTG50N60FWG
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NGTG50N60FWG的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:管件;IGBT类型:沟道;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):100A;脉冲电流-集电极(Icm):200A;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:管件
- 系列:-
- IGBT类型:沟道
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):100A
- 脉冲电流-集电极(Icm):200A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):1.7V @ 15V,50A
- 功率-最大值:223W
- 开关能量:1.1mJ(开),1.2mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:310nC
- 25°C时Td(开/关)值:117ns/285ns
- 测试条件:400V,50A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):-
- 封装/外壳:TO-247-3
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247