NGTB10N60R2DT4G
发布时间:2015-08-20
简介:
本文是安森美半导体公司的NGTB10N60R2DT4G的数据表,它是属于分立半导体产品 IGBT - 单路。 具体规格参数如下:包装:带卷(TR) 可替代的包装;电压-集射极击穿(最大值):600V;电流-集电极(Ic)(最大值):20A;脉冲电流-集电极(Icm):40A;不同Vge,Ic时的Vce(on):2.1V @ 15V,10A;
- 厂商:安森美半导体公司
- 类别:
电机控制/直流/交流电动机控制系统/Power Stage/
- 主要规格参数:
-
- 包装:带卷(TR) 可替代的包装
- 系列:-
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):20A
- 脉冲电流-集电极(Icm):40A
- 不同Vge,Ic时的Vce(on):2.1V @ 15V,10A
- 功率-最大值:72W
- 开关能量:412µJ(开),140µJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:53nC
- 25°C时Td(开/关)值:48ns/120ns
- 测试条件:300V,10A,30 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):90ns
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 安装类型:表面贴装
- 供应商器件封装:DPAK