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综述介绍

DN2625DK6-G

DN2625DK6-G

发布时间：2015-08-20

简介：

本文是美国微芯科技公司的DN2625DK6-G的数据表，它是属于分立半导体产品 FET - 阵列。具体规格参数如下：包装：托盘；FET类型：2 个 N 沟道（双）；FET功能：耗尽模式；漏源极电压（Vdss）：250V；电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.1A；

厂商：美国微芯科技公司
类别：电机控制/步进电机/Power Stage/
主要规格参数:
包装：托盘
系列：-
FET类型：2 个 N 沟道（双）
FET功能：耗尽模式
漏源极电压（Vdss）：250V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：1.1A
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值）：3.5 欧姆 @ 1A，0V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：-
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）：7.04nC @ 1.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）：1000pF @ 25V
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：8-DFN（5x5）

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